Как разогнать оперативную память (и почему это нужно)

Intel Sandy Bridge

Повышая рабочее напряжение, можно увеличить разгонный потенциал модулей, но бездумно задирать этот параметр не стоит — память может и перегореть.

Новейшие процессоры Intel, представленные
двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7, придутся по душе
оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy
Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих
процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все
основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению — стоит
отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно.
Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому
единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) — увеличивать
соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые
процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без
проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная
частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой
набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его
производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами
Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для
эффективного разгона ОЗУ недостаточно — нужна еще и подходящая материнская
плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские
возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с
индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не
умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули
будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express,
позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до
DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить
со всей основательностью.

К бою готов

Чем лучше у вашей памяти радиаторы, тем выше у нее разгонный потенциал. Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и системы охлаждения. Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше производительности.

Начинаем веселье!

Для начала мы переходим в BIOS – сделать это можно нажатием на клавишу F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Клавиша зависит от производителя вашей материнской платы.

Теперь у нас есть два пути. Зачастую у оперативной памяти от именитых брендов есть заранее заготовленные XMP-профили. Это своего рода «пресеты» с нужными настройками. Если у вас таковые имеются в распоряжении, вы – везунчик. Выставляйте нужную частоту, а XMP-профиль сделает все остальное за вас.

Второй путь потребует небольшой усидчивости: вам придется настраивать все вручную, то есть искать настройки в интернете или тыкать наугад.

И в том, и в другом случае нам нужно выставить напряжение плашки и напряжение контроллера памяти и L-3 кэша.

Первое делается в разделе «Dram Voltage». Берем с запасом, но не переступаем через порог!

Второй параметр называется «CPU NB/SoC Voltage». Средние рекомендуемые значения для данного параметра находятся в пределах 1.025–1.15 В, но здесь все зависит от производителя чипа.

Как только вы все настроите, можно приступать к таймингам. Рекомендуется выставить их значение на пару тактов выше. К примеру, для тайминга 9-9-9-24 можно выставить значение 11-11-11-26.

Сохраняем изменения и запускаем ПК. Не спешите радоваться успешному запуску системы – нам, как-никак, еще стресс-тесты нужно делать!

Если все работает стабильно, снова возвращаемся в BIOS и начинаем постепенно сбавлять напряжение плашки и ее тайминги. Затем снова сохраняем настройки, запускаем систему, прогоняем через тесты… И так до первых проблем с системой. 

Рекомендую сначала снижать тайминги до отказа, а затем на оптимальных значениях понижать напряжение. Точных значений дать не могу – все плашки работают по-разному, однако после нахождения оптимальных значений вы можете с гордостью считать себя оверклокером!

Спасибо за внимание! Надеюсь, что данная статья помогла вам увеличить производительность ПК

Скорость, время и задержка CAS

Скорость ОЗУ обычно измеряется в мегагерцах, обычно сокращенно «МГц». Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду ОЗУ может обращаться к своей памяти) и аналогично измерению скорости процессора. «Стандартная» скорость для DDR4 (новейшего типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. DDR означает «Двойная скорость передачи данных», что означает, что ОЗУ считывает и записывает дважды для каждого тактового цикла. На самом деле, скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегабит в секунду.

Но большая часть оперативной памяти DDR4 обычно имеет 3000 МГц, 3200 МГц или выше. Это из-за XMP (Extreme Memory Profile). XMP — это, по сути, оперативная память, сообщающая системе: «Эй, я знаю, что DDR4 должен поддерживать скорость до 2666 МГц, но почему бы Вам не разогнать меня до большей скорости?» Это заводской разгон, уже настроенный, протестированный и готовый к работе. Это достигается на аппаратном уровне с помощью микросхемы в самой ОЗУ, называемой микросхемой обнаружения серийного присутствия, поэтому на каждый чип приходится только один профиль XMP.

В каждом наборе оперативной памяти есть несколько скоростей; Стандартные скорости используют одну и ту же систему обнаружения присутствия и называются JEDEC. Все, что выше стандартных скоростей JEDEC, — это разгон, означающий, что XMP — это просто профиль JEDEC, который был разогнан на заводе.

Время ОЗУ и задержка CAS — это другой показатель скорости. Они измеряют задержку (как быстро реагирует Ваша RAM). Задержка CAS — это мера количества тактов между отправкой команды READ на карту памяти и процессором, получающим ответ. Обычно это называется «CL» после скорости ОЗУ, например, «3200 МГц CL16».

Обычно это связано со скоростью ОЗУ — чем выше скорость, тем выше задержка CAS. Но задержка CAS — это только один из множества разных таймингов и тактов, которые заставляют работать ОЗУ; остальные, как правило, просто упоминаются как «тайминги ОЗУ». Чем ниже и плотнее время, тем быстрее будет работать ОЗУ. Если Вы хотите узнать больше о том, что на самом деле означает каждое время, Вы можете прочитать это руководство от Gamers Nexus.

Возможные проблемы и их устранение

Внесение настроек в BIOS может привести к нестабильной работе компьютера. Иногда техника может зависать или не включаться. Это говорит о том, что система не смогла пройти тест с новой конфигурацией. Порядок действий в этом случае:

1. Подождать 30 секунд.
2. Запустить Windows в безопасном режиме.
3. Совершить откат системы с помощью точек восстановления. Подробнее читайте на сайте code01.ru

Батарейки CMOS хранят в себе все настройки, установленные пользователем в BIOS

Если нет возможности вернуться к ранним настройкам, следует очистить батарею CMOS самостоятельно. Для этого ее нужно вынуть из материнской платы и установить заново. Эти действия вызовут сброс параметров BIOS, приведут его к настройкам по умолчанию. Если компьютер все равно отказывает в запуске, необходимо купить новую батарею в любом магазине электроники.

Также сбросить BIOS можно вручную. Для этого понадобятся отвертка и ножницы. С помощью инструментов необходимо замкнуть два штырька на материнской плате. Система БИОС автоматически вернется к заводским настройкам.

На правах рекламы

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частотапамяти,Mhz	Тактов засекунду,шт	Время 1таминга,нс	Таймингов достабильнойзоны, шт	Всегозатраченовремени, нс
2400	1 200 000 000	83	11	913
1600	800 000 000	125	7	875
1333	666 500 000	150	6	900
1066	533 000 000	180	5	900
800	400 000 000	250	4	1000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Метод научного тыка

Теперь рассмотрим подробнее, как разогнать частоту, тайминг. Сразу «давить на газ» не стоит, параметр частоты увеличиваем плавно. Для сохранения нажимаем «F10», перезагружаемся и смотрим результаты с помощью теста Benchmark в AIDA 64 или в другой программе. Универсальных параметров разгона ОЗУ нет, данные ниже предоставлены для ориентира.

Параметр «System Memory Multiplier» позволяет разогнать ОЗУ, изменяя множитель. При изменении частоты, автоматически меняются и базовые тайминги.

Поиграв с вариациями частоты, переходим к нижней строчке «DRAM Timing Control», выставляем тайминги, переключившись с режима «Auto» на желаемые параметры.

Индивидуальный подход

Пользоваться специальными утилитами для разгона системы можно, но не нужно — их функционал хромает.

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в
многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем
частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной
утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными
DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы
оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и
множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако
простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам,
ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы.
Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с
помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к
разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти
требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы.
Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать
основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации
мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах,
появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти
располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона
зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак,
хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше

Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти

Вольтаж

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работала стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Ранг памяти

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:

• KVR21N15S8/8 — одноранговая.
• KVR21N15D8/8 — двухранговая.

Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Страница 2: Тестовые системы

Для наших тестов мы использовали те же компоненты, что и в руководстве по разгону CPU.

» Fotostrecke

Мы использовали три наиболее популярные платформы AMD и Intel. Конечно, они различаются процессорами и материнскими платами, но для всех трёх платформ мы использовали общие компоненты. Мы устанавливали видеокарту Gigabyte Radeon HD 7970 GHz Edition, блок питания Seasonic Platinum Series 660W и накопитель OCZ Vector 150, на который инсталлировались все тесты и операционная система Windows 8.1 со всеми обновлениями. Для охлаждения процессоров мы использовали систему водяного охлаждения с замкнутым контуром Cooler Master Nepton 280L. Все процессоры мы немного разгоняли. Они работали с фиксированной частотой от 4,0 до 4,3 ГГц (в зависимости от модели).

Intel X99

• Процессор: Intel Core i7-5960X
• Материнская плата: ASUS Rampage V Extreme
• Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
• Память: Corsair Vengeance LPX DDR4-2800 (4x 4 GB)
• Кулер: Cooler Master Nepton 280L
• HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
• Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
• Операционная система: Windows 8.1

Intel Z97

• Процессор: Intel Core i7-4790K
• Материнская плата: ASUS Z97-Deluxe
• Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
• Память: G.Skill Ripjaws X, DDR3-2133 CL11 (2x 4 GB)
• Кулер: Cooler Master Nepton 280L
• HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
• Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
• Операционная система: Windows 8.1

AMD 990FX

• Процессор: AMD FX-8370e
• Материнская плата: ASRock 990FX Killer
• Видеокарта: Gigabyte Radeon HD 7970 GHz-Edition
• Память: G.Skill Ripjaws X, DDR3-2133 CL11 (2x 4 GB)
• Кулер: Cooler Master Nepton 280L
• HDD: OCZ Vector 150, 240 GB
• Блок питания: Seasonic Platinum Series 660W
• Операционная система: Windows 8.1

Модули памяти

Модули памяти для тестовой конфигурации X99

С процессорами «Haswell-E» и платформой X99 Intel в конце августа 2014 представила и новый стандарт памяти DDR4 для настольных систем. Для оптимальной производительности на материнскую память следует устанавливать не меньше четырёх планок памяти DDR4. Мы использовали комплект Corsair, который тестировался вместе с процессором Intel Core i7-5960X в нашем обзоре. Из-за высоких тактовых частот комплект Corsair подходит и для разгона памяти.

Планки семейства Vengeance LPX работают от напряжения 1,2 В, теоретически они могут достигать частоты до 2.800 МГц. Модули памяти заявлены с задержками CL 16-18-18-36. Если вы хотите достичь указанных тактовых частот, то CPU Strap процессора «Haswell-E» следует выставить на 125 МГц. Со стандартной частотой 100 МГц встроенный контроллер памяти может работать с максимальной частотой 2.666 МГц. При повышении BCLK следует уменьшать множитель процессора, чтобы не разгонять его. Подробно процесс разгона CPU описан в нашем руководстве.

Модули памяти для тестовой конфигурации Z97 и 990FX.

Две другие платформы опираются на старую добрую память DDR3 в двухканальном режиме, так что для оптимальной производительности требуются две планки. Мы будем использовать недавно представленные планки памяти Ripjaws-X от G.Skill. Они заявлены с частотой 2.133 МГц и задержками CL11-11-11-30. Напряжение составляет от 1,5 до 1,6 В. В тесте разгона планки памяти заработали и на более высоких тактовых частотах, но нам пришлось увеличить напряжение до 1,65 В.

Методика тестирования

Мы тестировали планки памяти на всех трёх платформах, используя разные тесты. Мы провели тесты не только игр, но и архиваторов, утилит для определения пропускной способности памяти и нескольких синтетических бенчмарков. Все тесты мы разделили на две части. На первом этапе мы выставляли задержки на определенном уровне, после чего измеряли производительность. Затем мы увеличивали тактовую частоту памяти при прежних задержках, после чего снова проводили измерения производительности. На втором этапе мы выставили частоту на фиксированном уровне, после чего изменяли задержки памяти.

Это позволило нам выявить преимущества высоких тактовых частот и низких задержек на разных платформах, а также определить прирост производительности.

Для DDR4 мы использовали следующие настройки:

• DDR4-2400 CL16-16-16-36; 1,2 В
• DDR4-2133 CL16-16-16-36; 1,2 В
• DDR4-1866 CL16-16-16-36; 1,2 В
• DDR4-1600 CL16-16-16-36; 1,2 В
• DDR4-1333 CL16-16-16-36; 1,2 В
• DDR4-1866 CL15-15-15-35; 1,2 В
• DDR4-1866 CL14-15-15-32; 1,2 В

Для DDR3 мы использовали следующие настройки:

• DDR3-2400 CL11-11-11-30; 1,6 В
• DDR3-2133 CL11-11-11-30; 1,6 В
• DDR3-1866 CL11-11-11-30; 1,6 В
• DDR3-1600 CL11-11-11-30; 1,6 В
• DDR3-1333 CL11-11-11-30; 1,6 В
• DDR3-1866 CL10-10-10-28; 1,6 В
• DDR3-1866 CL9-10-10-28; 1,65 В

<> Разгон памяти: руководство HardwareluxxТесты — SiSoft Sandra
 

Принцип работы оперативки

Random Access Memory (RAM) – оперативная память компьютера, использующаяся для хранения данных, которые обрабатываются программой в реальном времени. Оперативная память не запоминается устройством – это означает, что при выключении компьютера информация, содержащаяся в ней, теряется. Эта память часто называется DRAM из-за принципа работы: одна ячейка памяти содержит конденсатор (емкость), который хранит один бит данных.

Конденсатор, однако, быстро разряжается, поэтому он систематически обновляет содержимое ячейки, перезаряжая конденсатор. Этот процесс называется обновлением памяти и должен выполняться циклически. Также оперативная память характеризуется двумя параметрами: емкостью и временем доступа.

Но возникает вопрос, зачем ПК этот вид памяти и может ли он использовать только один тип памяти, например, жесткий диск. К сожалению, такой компьютер был бы невероятно медленным. Жесткий диск имеет среднюю скорость передачи данных 200-300 Mb/s. (SSD – 600-700 Mb/s.), в то время как скорость ОЗУ – от 12000 до 25000 Mb/s.

Из-за своей скорости оперативная память становится буфером между медленным жестким диском и быстрым процессором. В нее помещаются данные, результаты вычислений, файлы запущенных приложений.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор. Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться

А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.

Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

Как разгонять память

Самое сложное в разгоне памяти – определить, какие частоты и тайминги нужно использовать, поскольку в BIOS есть более 30 различных настроек. К счастью, четыре из них считаются «основными» таймингами, и их можно подсчитать при помощи программы Ryzen DRAM Calculator. Она предназначена для систем на базе AMD, но будет работать и для пользователей Intel, поскольку в основном предназначена для расчётов таймингов памяти, а не CPU. Скачайте программу, введите скорость памяти и тип (если он вам неизвестен, то быстрый поиск серийного номера в Google может выдать вам результаты). Нажмите кнопку R-XMP для загрузки спецификаций, и нажмите Calculate SAFE или Calculate FAST , чтобы получить новые тайминги.

Эти тайминги можно сравнить с прописанными спецификации при помощи кнопки Compare timings – тогда вы увидите, что на безопасных настройках всё немножечко подкручено, а основная CAS-латентность уменьшена на быстрых настройках. Будут ли у вас работать быстрые настройки – вопрос удачи, поскольку это зависит от конкретной планки, но у вас, вероятно, получится заставить память работать с ними в безопасном диапазоне напряжений.

Скриншот программы лучше отправить на другое устройство, поскольку вам понадобится редактировать настройки таймингов в BIOS компьютера. Затем, когда всё работает, вам нужно будет проверить стабильность разгона при помощи встроенного в калькулятор инструмента. Это процесс долгий, и вы можете прочитать наше руководство по разгону памяти, чтобы узнать все его подробности.